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以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表，在各自的研究领域结合各自多年的实际经验，撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点，以技术为主导、以应用为目的的实用型专业指导书。书中从理论面到技术面层次分明、清晰易懂地展开观点论述，内容覆盖碳化硅材料和器件从制造到应用的全产业链，不仅表述了碳化硅各环节的科学原理，还介绍了各种相关的工艺技术。
本书对推动我国碳化硅半导体领域的学术研究和产业发展具有积极意义，适合功率半导体器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读，也可作为相关专业高年级学生的理想选修教材。

松波弘之
1962年毕业于京都大学工学部，1970年获得工学博士，1976—1977年担任美国北卡罗莱纳州立大学客座副教授，1983年担任京都大学教授，2003年退休后担任京都大学名誉教授。专业：半导体材料工程学。

大谷昇
1984年完成东京工业大学物理学硕士课程，2008年担任日本关西学院大学教授。专业：碳化硅半导体材料的晶体生长以及缺陷物理学。

木本恒畅
1986年毕业于京都大学工学部。1988年进入住友电气工业公司伊丹研究所工作。2006年至今，担任京都大学教授。专业：半导体材料，器件。

中村孝
1990年进入罗姆公司，进行大规模集成电路的工艺开发。1996年获得京都大学工学博士学位。2003年至今，从事碳化硅功率器件开发工作。

适读人群 ：功率半导体器件设计、工艺设备、产业应用和规划领域的人士
本书特色
?作者团队阵容强大：以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、京都大学实力派教授木本恒畅、关西学院大学知名教授大谷昇和企业实力代表罗姆公司的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表；
? 覆盖SiC全产业链的技术焦点：以作者在各自研究领域多年的实际经验为基础，以技术为主导、以应用为目的，从理论面到技术面，从制造到应用，一本实用型专业指导全书。

译者序
很庆幸在日本半导体行业内非常畅销的《半導体SiC技術と応用第2版》在机械工业出版社的支持下得以引进、翻译并出版了中译本。原书在日本碳化硅学术界元老级人物松波弘之和碳化硅界代表性人物大谷昇、木本恒畅、中村孝等四人的牵头下，汇集了当今日本各大半导体研究机构和企业相关的碳化硅技术专家，以实际研究经验编写了这本学术专著。从单晶、外延、器件到模块，全方位描述了碳化硅的基础理论知识，阐述了碳化硅的各种研究方法和发展方向，图文并茂、数据充足，衷心希望此中译本能为国内相关从业人员的研究工作提供一些借鉴和参考。
本书得以顺利出版，也得到了国内众多企业的友情赞助，在此表示由衷的感谢。他们是：上海翱晶半导体科技有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、汉民科技（上海）有限公司、中电化合物半导体有限公司、飞锃半导体（上海）有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、深圳基本半导体有限公司和巍巍博士以及瑟米莱伯贸易（上海）有限公司。另外，本书在最终的校核过程中，也得到了中国科学院大学集成电路学院的葛念念、卢文浩、王开宇等同学的友情支持，在此一并表示衷心的感谢。
本书的翻译人员以普及碳化硅专业知识和推动国内碳化硅事业发展为目的，利用各自的业余时间做出了无偿的奉献。为了尽可能保证原汁原味，采用了多人多次重复审定的方法，但因为水平所限，一些瑕疵无法避免，还请广大读者予以理解和支持。
译者

目录
推荐序一
推荐序二
译者序
原书前言
原书编委会成员
原书作者名单
第1章碳化硅（SiC）技术的进展
1.1发展的历史背景
1.2台阶控制外延生长模式的发明（SiC技术的大突破）
1.3SiC衬底结晶的研发进展
1.4运用于功率半导体的前景
1.5肖特基二极管的产业化
1.6晶体管的产业化
1.7功率器件模块
第2章SiC的特征
第3章SiC单晶的晶体生长技术
3.1SiC晶体生长的基础
3.2升华法
3.2.1使用升华法生长大尺寸SiC晶体
3.2.2RAF生长法
3.3液相法
3.3.1通过添加金属溶媒的SiC单晶液相生长
3.3.2在六方晶衬底上进行3C-SiC液相生长
3.3.3MSE法
3.4气相法
3.4.1气体生长法
3.4.2Si衬底上生长3C-SiC厚膜
3.5SiC晶体生长工艺的仿真模拟技术
3.5.1升华法生长单晶的仿真模拟
3.5.2横向热壁CVD生长模拟
第4章SiC单晶衬底加工技术
4.1SiC单晶多线切割
4.1.1加工设备以及工具
4.1.2各种加工方式的优缺点
4.2SiC单晶衬底的研磨技术
4.2.1粗加工
4.2.2精加工
4.2.3双面CMP
4.3SiC单晶的新加工法
4.3.1CARE法
4.3.2放电加工法
第5章SiC外延生长技术
5.1SiC外延生长的基础
5.2SiC外延生长技术的进展
5.2.1SiC外延层的高品质化
5.2.2SiC外延层的高速生长
5.3有关SiC外延生长中晶体缺陷的研究
5.3.1扩展缺陷
5.3.2点缺陷
专栏：石墨烯
第6章SiC的表征技术
6.1SiC的物理性质评价
6.1.1光致发光
6.1.2拉曼散射评估
6.1.3霍尔效应
6.1.4载流子寿命测量
6.2SiC的缺陷评估
6.2.1采用化学刻蚀评估位错
6.2.2X射线形貌法下的位错、堆垛层错缺陷等的评估
6.2.3深能级评估
6.2.4电子自旋共振（ESR）下的点缺陷评估
专栏：晶圆成像评估
ⅩⅤⅠⅠⅩⅤⅠⅠⅠ第7章SiC的工艺技术
7.1离子注入
7.1.1维持SiC表面平坦化
7.1.2低电阻n型区的形成
7.1.3低电阻p型区的形成
7.1.4离子注入的Al与B的分布控制
7.2刻蚀
7.2.1反应等离子体刻蚀
7.2.2高温刻蚀
7.2.3湿法刻蚀
7.2.4刻蚀形状的控制
7.3栅极绝缘层
7.3.1MOS界面基础与界面物理性质评估法
7.3.2热氧化膜
7.3.3沉积氧化膜
7.3.4高相对介电常数绝缘膜
7.4电极
7.4.1欧姆电极
7.4.2肖特基电极
专栏：MEMS
第8章器件
8.1器件设计
8.1.1漂移层的设计与导通电阻
8.1.2器件的功率损耗
8.2模拟实验
8.2.1功率器件的等比例缩小和巴利加优值
8.2.2SiC功率器件模拟的收敛问题
8.2.3SiC的碰撞电离系数的各向异性
8.2.4SiC器件的终端结构
8.3二极管
8.3.1pn结二极管
8.3.2肖特基势垒二极管
8.4单极型晶体管
8.4.1DMOSFET
8.4.2沟槽MOSFET
8.4.3DACFET
8.4.4IEMOSFET
8.4.5JFET
8.4.6嵌入沟槽型SiC JFET
8.4.7SIT
8.5双极型晶体管
8.5.1BJT
8.5.2晶闸管，GCT
8.6高输出功率、高频率器件
8.6.1晶体管
8.6.2二极管
专栏：绝缘栅双极型晶体管
第9章SiC应用系统
9.1SiC器件在电路工艺上的应用
9.1.1SiC功率器件的应用领域以及电路设计
9.1.2电路小型化的SiC功率器件应用
9.1.3SiC功率器件在电路上的应用实例
9.2在逆变电路上的应用（1）：通用逆变器
9.2.1通用逆变器主要结构
9.2.2逆变器单元设计、试制示例
9.3在逆变电路上的应用（2）：车载逆变器
9.3.1车载逆变器的构成
9.3.2车载逆变器对功率半导体性能的要求以及
对SiC的期待
9.3.3SiC逆变器的车载实例
9.3.4车载SiC逆变器今后的研究课题
9.4在逆变电路上的应用（3）：铁路用逆变器
9.4.1铁路用逆变器与功率器件
9.4.2铁路用逆变器的电路结构
9.4.3铁路用逆变器上的SiC器件应用
9.5在逆变电路上的应用（4）：电力用逆变器
9.5.1使用SiC二极管的混合结构逆变器与电力稳定装置
9.5.2SiC MOSFET构成的太阳能电池并网用三相逆变器
9.5.3带有应对瞬时电压下降功能的负荷平衡装置用
高过载三相全SiC逆变器
专栏：高耐热模块
ⅩⅠⅩⅩⅩ第10章各领域SiC应用前景
10.1新能源汽车
10.1.1汽车行业的外部环境
10.1.2丰田HV的过去、现在和将来
10.1.3最新HV
10.1.4对SiC产业今后的期待
10.2太阳能发电
10.2.1光伏逆变器
10.2.2对下一代功率半导体的期待
10.3电源，UPS
10.3.1直流电源
10.3.2UPS
10.4铁路
10.4.1铁路列车半导体电力变换装置概要
10.4.2铁路电气化方式
10.4.3主电路用逆变器
10.4.4交流电气化区域的主电路
10.4.5SIV
10.4.6变电站
10.4.7市场规模
10.4.8SiC化的动向
10.5家电
10.5.1家电领域的电力使用
10.5.2电力电子家电的变迁及SiC的萌芽
10.5.3家电的逆变器与功率半导体
10.5.4SiC器件的前景
10.6电力
10.6.1功率半导体器件的电力系统适用实例及SiC适用效果
10.6.2智能电网